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江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司


江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司從事第三代化合物半導(dǎo)體材料—氮化鎵(GaN)系列材料的開發(fā)制造和應(yīng)用。二十余年來專注于GaN材料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發(fā)和生產(chǎn),擁有堅實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù),本公司的GaN材料外延和器件的性能達(dá)到世界先進(jìn)水平。公司的主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管勢壘(SBD)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、射頻/功率放大器(RF PA)、深紫外發(fā)光二極管(UVC-LED)等,這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司將致力于實(shí)現(xiàn)氮化鎵電子器件和高端光電器件領(lǐng)域的“中國智造”!

128

成功案例

54 項(xiàng)

專利產(chǎn)品

20

20年開發(fā)經(jīng)驗(yàn)

28

研發(fā)團(tuán)隊(duì)

秉承“以精立業(yè)、以質(zhì)取勝”的質(zhì)量方針

生產(chǎn)力

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢

公司擁有第三代半導(dǎo)體材料(GaN)、芯片及器件研發(fā)三十余年經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì),其中不僅有10余位博士成員,還包括世界上最早從事第三代半導(dǎo)體材料研究、外延生長、器件設(shè)計研發(fā)產(chǎn)業(yè)化等各方面專家。

護(hù)欄

研發(fā)優(yōu)勢

具備全品類,各類襯底上GaN材料生長和流片能力,目前產(chǎn)能已達(dá)到1.5萬片/月,二期建成產(chǎn)能達(dá)到25萬片/月,并在性能和成本上占優(yōu)勢;

專業(yè)

設(shè)備優(yōu)勢

日本大陽日酸株式會社制造的MOCVD設(shè)備可以生長高性能氮化鎵材料; 行業(yè)頂級設(shè)備數(shù)量。

服務(wù)

銷售優(yōu)勢

公司實(shí)現(xiàn)SBD、HEMT、UVC-LED規(guī)?;慨a(chǎn),已經(jīng)與國內(nèi)大型通訊設(shè)備生產(chǎn)商進(jìn)行聯(lián)合研發(fā)

譽(yù)鴻錦核心團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢

江西譽(yù)鴻錦團(tuán)隊(duì)成員不僅有10余位博士成員,還擁有諾貝爾獎獲得者天野浩和中村修二提供強(qiáng)有力的技術(shù)支持,江西譽(yù)鴻錦技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員十余年來專注于GaN電子器件,如射頻/功率肖特基二極管(SBD)、高電子遷移率晶體管(HEMT)的研發(fā),擁有豐富的工藝經(jīng)驗(yàn),掌握了氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù),達(dá)到世界先進(jìn)水平。同時,在UVC- LED和GaN 藍(lán)綠激光器的研發(fā)和生產(chǎn)上,公司引進(jìn)日本大陽日酸株式會社MOCVD設(shè)備,由世界一流的專家提供技術(shù)支持。

譽(yù)鴻錦產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備

企業(yè)擁有外延、芯片制造、模組封測相關(guān)進(jìn)口設(shè)備600余臺套,如:MOCVD、NIKON EX14、Suss 光刻機(jī)、干法蝕刻機(jī)、PECVD、研磨機(jī)等設(shè)備

設(shè)備展示-10

設(shè)備展示-10

光刻機(jī)(芯片)

光刻機(jī)(芯片)

鍍膜(芯片)

鍍膜(芯片)

ICP(芯片)

ICP(芯片)

RTP&PECVD(芯片)

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