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江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司

江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司從事第三代化合物半導(dǎo)體材料—氮化鎵（GaN）系列材料的開發(fā)制造和應(yīng)用。二十余年來(lái)專注于GaN材料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發(fā)和生產(chǎn)，擁有堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù)，本公司的GaN材料外延和器件的性能達(dá)到世界先進(jìn)水平。公司的主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管勢(shì)壘（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發(fā)光二極管（UVC-LED）等，這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司將致力于實(shí)現(xiàn)氮化鎵電子器件和高端光電器件領(lǐng)域的“中國(guó)智造”！

公司簡(jiǎn)介

公司優(yōu)勢(shì)

核心團(tuán)隊(duì)

榮譽(yù)資質(zhì)

外延

具有先進(jìn)的MOCVD外延設(shè)備，可提供:

● 4”/6”/8”英寸硅基/碳化硅基/藍(lán)寶石基等氮化鎵外延片;
●650V/900V/1200V各種擊穿電壓規(guī)格外延片;
● 5G/6G射頻外延片;
● 耗盡型、pGaN增強(qiáng)型及各種定制結(jié)構(gòu)外延片;
● 外延片厚度2-6微米，不均勻性<土3%; .
● 外延片翹曲< 30微米;
● 外延片2DEG電子濃度> 8E12cm-2;
● 外延片電子遷移率> 1800 cm2/V·s;

芯片

具備GAN基的器件研發(fā)及生產(chǎn)能力，從芯片的設(shè)計(jì)到加工已形成了完整的體系。GaN的低損傷干法刻技術(shù)；光學(xué)增透膜和高反射膜的膜系設(shè)計(jì)及制備技術(shù)；多層金屬膜的沉淀及側(cè)壁保護(hù)技術(shù)；光掩膜版的優(yōu)化設(shè)計(jì)及光掩膜的斷面成型技術(shù)；各種鈍化膜的低損傷制備及圖形化技術(shù)；完整的藍(lán)光，高A組分的UVC一LED制作技術(shù)；GaN基探測(cè)器，激光器等器件制作技術(shù)；GaN基的二端和三端器件的研發(fā)和微細(xì)加工技術(shù)。

封裝

領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)，提供全方位的芯片成品制造一站式服務(wù)，包括設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶圓級(jí)中道封裝測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)封裝測(cè)試、芯片成品測(cè)試。

·無(wú)機(jī)封裝 ·陶瓷封裝 ·金屬封裝

具備高集成度的晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、高性能倒裝芯片封裝和先進(jìn)的引線鍵合技術(shù)

肖特基二極管（SBD）、HEMT

+

深紫外芯片（UVC-LED）

+

激光器（LD）

+

四大優(yōu)勢(shì)

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)

公司擁有第三代半導(dǎo)體材料(GaN)、芯片及器件研發(fā)三十余年經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)，其中不僅有10余位博士成員，還包括世界上最早從事第三代半導(dǎo)體材料研究、外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)研發(fā)產(chǎn)業(yè)化等各方面專家。