氮化鎵的未來

作者：

譽(yù)鴻錦芯片

全球氮化鎵行業(yè)處于起步階段

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管。氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料對(duì)于國(guó)家的新能源汽車產(chǎn)業(yè)、5G通信產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)等諸多產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著重要的影響。2020年發(fā)達(dá)國(guó)家均不約而同將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)上升到安全戰(zhàn)略層面，考慮以國(guó)家級(jí)力量進(jìn)行技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展、原材料、生產(chǎn)制造等，多維度、全方位的部署搶占制高點(diǎn)。

氮化鎵半導(dǎo)體能夠承受比硅半導(dǎo)體更強(qiáng)的電流和更高的電壓。這些優(yōu)勢(shì)導(dǎo)致了在下一代功率半導(dǎo)體器件中使用的氮化鎵的密集研發(fā)，用于車輛和其他用途。但是從材料的滲透率來看，根據(jù)Yole及中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，當(dāng)前半導(dǎo)體材料中，硅Si的滲透率仍然最高并占據(jù)絕對(duì)重要地位，2020年Si的滲透率約為97.85%，氮化鎵GaN的滲透率僅為0.17%，處于起步階段。但從未來發(fā)展趨勢(shì)來看，氮化鎵的滲透率將會(huì)持續(xù)上升。

全球氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)

氮化鎵長(zhǎng)期以來生產(chǎn)LED和RF組件中使用，但目前正向著主流接受在越來越多的功率開關(guān)和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。在這里，基于GaN的IC可以滿足提高系統(tǒng)性能和效率、節(jié)省空間和在更高溫度下可靠運(yùn)行的需求。從全球氮化鎵(GaN)市場(chǎng)規(guī)模變化來看，根據(jù)Market and Market的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018-2020年全球氮化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模逐漸擴(kuò)大，2020年全球氮化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了184億美元，同比增長(zhǎng)28.67%。

全球氮化鎵器件細(xì)分市場(chǎng)：光電氮化鎵器件為主要產(chǎn)品類型

目前全球氮化鎵器件的主要分類為光電氮化鎵器件、射頻氮化鎵器件和功率氮化鎵器件。從細(xì)分市場(chǎng)的角度來看，全球光電氮化鎵器件的市場(chǎng)應(yīng)用程度最高，占比達(dá)到65.22%;其次是射頻氮化鎵器件，市場(chǎng)占比約為29.89%;而功率氮化鎵器件的市場(chǎng)規(guī)模則占比最小，僅為4.89%。

全球氮化鎵行業(yè)具備良好技術(shù)和市場(chǎng)前景

——全球國(guó)家開啟氮化鎵研究浪潮

在技術(shù)發(fā)展前景方面，未來，氮化鎵半導(dǎo)體仍將是全球主要國(guó)家的科技攻關(guān)重點(diǎn)方向。2020-2021年期間，全球國(guó)家已經(jīng)開展了氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目，例如英國(guó)政府正支持Compound Semiconductor Centre和Newport Wafer Fab(新港晶圓廠)開發(fā)一種200mm氮化鎵功率晶體管代工工藝，因此預(yù)計(jì)未來全球氮化鎵行業(yè)將迎來一段技術(shù)快速發(fā)展期。

下游需求持續(xù)促進(jìn)全球氮化鎵市場(chǎng)擴(kuò)大

在市場(chǎng)前景方面，氮化鎵是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。隨著各個(gè)國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視，氮化鎵半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅速。參考Market and Market 、Yole等機(jī)構(gòu)的增長(zhǎng)幅度測(cè)算，預(yù)計(jì)到2026年全球氮化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)到423億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為13.5%。

上半年，我國(guó)電子信息制造業(yè)增加值實(shí)現(xiàn)較快增長(zhǎng)，出口交貨值增速穩(wěn)步回升，企業(yè)營(yíng)收持續(xù)提升，投資保持較快增長(zhǎng)。

增加值實(shí)現(xiàn)較快增長(zhǎng)

　　6月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng)11%，較5月份高3.7個(gè)百分點(diǎn)。
　　上半年，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng)10.2%，增速分別超出工業(yè)、高技術(shù)制造業(yè)6.8個(gè)百分點(diǎn)和0.6個(gè)百分點(diǎn)。
　　上半年，主要產(chǎn)品中，手機(jī)產(chǎn)量7.44億臺(tái)，同比下降2.7%，其中智能手機(jī)產(chǎn)量5.76億臺(tái)，同比下降1.8%；微型計(jì)算機(jī)設(shè)備產(chǎn)量2.12億臺(tái)，同比下降5%；集成電路產(chǎn)量1661億塊，同比下降6.3%。

出口交貨值增速穩(wěn)步回升

　　6月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)出口交貨值同比增長(zhǎng)12.4%，增速比5月份提高6.3個(gè)百分點(diǎn)。
　　上半年，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)出口交貨值同比增長(zhǎng)7.3%，增速較1—5月份上升0.9個(gè)百分點(diǎn)。
　　據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，上半年，我國(guó)出口筆記本電腦8835萬臺(tái)，同比下降17.3%；出口手機(jī)4.06億臺(tái)，同比下降10.9%；出口集成電路1410億個(gè)，同比下降6.8%。

企業(yè)營(yíng)收持續(xù)提升

　上半年，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入70199億元，同比增長(zhǎng)7.7%，比1—5月份增長(zhǎng)0.3個(gè)百分點(diǎn)；營(yíng)業(yè)成本61100億元，同比增長(zhǎng)8.7%；實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額3234億元，同比下降6.6%，營(yíng)業(yè)收入利潤(rùn)率為4.6%。

投資保持較快增長(zhǎng)

上半年，電子信息制造業(yè)固定資產(chǎn)投資同比增長(zhǎng)19.9%，比同期工業(yè)投資增速高8.9個(gè)百分點(diǎn)，但比高技術(shù)制造業(yè)投資增速低3.9個(gè)百分點(diǎn)。

江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司，致力于第三代半導(dǎo)體的開發(fā)和生產(chǎn)，我司擁有世界一流的科研團(tuán)隊(duì)，先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和國(guó)家政策的支持。我司會(huì)用先進(jìn)的技術(shù)，竭力為您帶來更好的體驗(yàn)。

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